特許

J-GLOBAL ID：200903054925978742

半導体ウエハおよびその面取り加工方法

発明者： 梅津 一之 ,  大森 秀美
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068425
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281550
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】裏面を研削して200μm以下の厚さにしてもチッピング(欠け)や破損を防止することができる、半導体ウエハおよびその面取り加工方法を提供する。【解決手段】外周面に円弧状断面の溝を備えた回転砥石100を回転させるとともに、半導体ウエハ102を回転させながら、半導体ウエハ102の厚さ方向の中心線が回転砥石100の溝の厚さ方向の中心線から厚さ方向に所定の距離Dだけずれるように、半導体ウエハ102の周縁を回転砥石の溝に当接させることにより、半導体ウエハ102の周縁を面取り加工する。所定の距離D(mm)は、半導体ウエハ102の厚さ方向の断面形状において、半導体ウエハ102の一方の表面から厚さ方向に所定の距離T(Tは0.2mm以下)の位置における半導体ウエハ102の端面上の接線と半導体ウエハ102の一方の表面に平行な方向との間の角度が60°よりも大きくなるような距離である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

厚さ方向の断面形状において、外周面に対応する端面が円弧状に形成され、且つ一方の表面から厚さ方向に所定の距離T(Tは0.2mm以下)の位置における端面上の接線とその一方の表面に平行な方向との間の角度が60°よりも大きいことを特徴とする、半導体ウエハ。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B9/00

FI (2件)：

H01L21/304 621E ,  B24B9/00 601H

Fターム (4件)：

3C049AA02 ,  3C049BA09 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-101226   出願人：株式会社ディスコ
• 特許第2821408号
  
• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-102683   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特許第2821408号