特許

J-GLOBAL ID：200903054935808209

半導体装置

発明者： 中澤 大望
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143877
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300554
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】耐熱性に優れた、光電変換機能を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、光電変換機能を有する半導体素子2を備え、第1封止樹脂6、第2封止樹脂7及び第3封止樹脂8で封止されている。第2封止樹脂7は、半導体素子2の信号の送受信を可能とするような透明性を有し、半導体素子2側を封止している。第3封止樹脂8は、ガラス転移温度から300°Cまでの温度範囲における線膨張係数が150ppm/°C以上であり、半導体素子2の裏側を封止している。第1封止樹脂6は、ガラス転移温度から300°Cまでの温度範囲における線膨張係数が100ppm/°C以下であり、第2封止樹脂7と第3封止樹脂8で挟まれている。また、第2封止樹脂7及び第3封止樹脂8の一方の厚さは、他方の厚さの50%以上150%以下である。これにより、第2封止樹脂7の熱膨張による欠陥の発生を防止している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光電変換機能を有する半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続された導体と、を備え、 前記半導体素子が樹脂封止された半導体装置であって、 樹脂封止するための第1封止樹脂、第2封止樹脂及び第3封止樹脂を有し、 前記第2封止樹脂は、前記半導体素子に対し光信号透過性を有すると共に、前記半導体素子が搭載された、前記導体の一方の面側を封止しており、 前記第3封止樹脂は、前記導体の他方の面側を封止すると共に、前記第2封止樹脂の線膨張による前記導体の撓みの少なくとも一部を抑制するような線膨張係数及び厚さを有し、 前記第1封止樹脂は、前記導体の少なくとも一部を封止すると共に、前記第2封止樹脂と前記第3封止樹脂で挟まれており、前記第2封止樹脂の線膨張の少なくとも一部を抑制するような線膨張係数を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/02 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L31/02 B ,  H01L33/00 N

Fターム (15件)：

5F041AA31 ,  5F041AA44 ,  5F041DA16 ,  5F041DA25 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09 ,  5F041FF14 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BA20 ,  5F088BB01 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361559   出願人：住友電気工業株式会社