特許

J-GLOBAL ID：200903054936965740

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山崎 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253247
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097899
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流が発生したり、アーリー電圧が低下したりすることのない、拡散層深さの浅い半導体装置を提供する。【解決手段】 N型型半導体基板1上にゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるスペーサ層2とチャネルシリコン層3を順次形成した後、チャネルシリコン層3の能動領域となる部分に所定の厚さのゲート酸化膜6を形成する。続いて、ゲート酸化膜6上に、所定のパターンのゲート電極を形成し、これをイオン注入のマスクとしてP型不純物イオンをイオン注入し、所定温度の窒素雰囲気中でアニールすることによりチャネルシリコン層3内にソース・ドレイン領域8を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に第2導電型不純物を含むシリコン層を形成してなる半導体装置において、前記シリコン層下にゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるスペーサ層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345630   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-280437
  
• 特開平4-179234