特許
J-GLOBAL ID：200903054953945248
磁気抵抗効果型素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242732
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067625
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 第2の強磁性膜とバイアス膜とを磁気的に十分に結合させることができ、バルクハウゼンノイズの発生を防止することができる磁気抵抗効果型素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 非磁性導電膜15と、非磁性導電膜15を挟んで配置された導電性の第1,第2の強磁性膜14,16と、第1の強磁性膜14と磁気的に結合して、第1の強磁性膜14の磁化方向を固定する反強磁性膜13と、第2の強磁性膜16と磁気的に結合して、第2の強磁性膜16の磁化方向を第1の強磁性膜14の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス膜17と、第1,第2の強磁性膜14,16及び非磁性導電膜15に検出電流を流すための一対の電極膜18とを備え、反強磁性膜13、第1の強磁性膜14、非磁性導電膜15、第2の強磁性膜16、バイアス膜17が、この順番に積層されているとともに、バイアス膜17上には、その両側に前記一対の電極膜18が配置されており、一対の電極膜18間においてバイアス膜17を変質させることにより、トラック幅を定める非磁性膜17aを形成した。
請求項（抜粋）：
非磁性導電膜と、前記非磁性導電膜を挟んで配置された導電性の第1,第2の強磁性膜と、前記第1の強磁性膜と磁気的に結合して、前記第1の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜と、前記第2の強磁性膜と磁気的に結合して、前記第2の強磁性膜の磁化方向を前記第1の強磁性膜の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス膜と、前記第1,第2の強磁性膜及び前記非磁性導電膜に検出電流を流すための一対の電極膜とを備え、前記反強磁性膜、第1の強磁性膜、非磁性導電膜、第2の強磁性膜、バイアス膜が、この順番に積層されているとともに、前記バイアス膜上には、その両側に前記一対の電極膜が配置されており、前記一対の電極膜間において前記バイアス膜を変質させることにより、トラック幅を定める非磁性膜を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型素子。
Fターム (5件)：
5D034BA04
, 5D034BA09
, 5D034BA21
, 5D034CA04
, 5D034DA07
