特許
J-GLOBAL ID：200903082650071524

磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

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斎藤 正路

斎藤 正路 について

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牧野 彰宏

牧野 彰宏 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-266359
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112562
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、耐食性に優れ、薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができるとともに、線形応答性に優れ、バルクハウゼンノイズを抑制した磁気抵抗効果型センサを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも2層の強磁性層32、34が、非磁性層33を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方が、その強磁性層と隣接して設けられた反強磁性体の保磁力増大層31により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層の磁化反転が自由にされてなる磁気抵抗効果型センサであり、前記磁化反転が自由にされてなる強磁性層34に対し、この強磁性層34に縦バイアスを印加して一方向性の交換バイアス磁界により磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する反強磁性層35が隣接配置されてなる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の強磁性層が、非磁性層を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方がその強磁性層と隣接して設けられた第1の反強磁性体よりなる保磁力増大層により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層の磁化反転が自由にされてなる磁気抵抗効果型センサであり、前記磁化反転が自由にされてなる強磁性層に対し、この強磁性層に縦バイアスを印加して一方向性の交換バイアス磁界により磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する第2の反強磁性体よりなる反強磁性層が隣接配置されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
審査官引用 (5件)
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