特許
J-GLOBAL ID：200903054977091916

プラズマ加速原子層成膜のシステムおよび方法

発明者：
石坂 忠大

石坂 忠大 について

, 
山本 薫

山本 薫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-503030
公開番号（公開出願番号）：特表2008-537979
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
プラズマ加速原子層成膜(PEALD)処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記PEALD処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第1の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第2の処理材料が導入される。第2の処理材料の導入の間、処理チャンバには、600Wを超える電磁力が結合され、基板の表面での第1および第2の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第1の処理材料と第2の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
請求項（抜粋）：
プラズマ加速原子層成膜(PEALD)処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であって、 前記PEALD処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、 前記処理チャンバ内に第1の処理材料を導入するステップと、 前記処理チャンバ内に第2の処理材料を導入するステップと、 前記基板の表面での前記第1および第2の処理材料の間の還元反応を促進させるプラズマを発生させるため、前記第2の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに600Wを超える電磁力を結合するステップと、 前記第1の処理材料と前記第2の処理材料の交互の導入により、前記基板上に前記膜を形成するステップと、 を有する方法。
IPC (6件)：
C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/283 ,  C23C 16/455
FI (6件)：
C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/285 C ,  H01L21/283 B ,  C23C16/455
Fターム (76件)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA10 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA01 ,  4K030DA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF01 ,  5F045BB09 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-612991   出願人：ゼニテックインコーポレイテッド
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-503921   出願人：ジニテックインク.
審査官引用 (2件)
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-612991   出願人：ゼニテックインコーポレイテッド
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-503921   出願人：ジニテックインク.

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