特許

J-GLOBAL ID：200903042514981744

薄膜形成方法

発明者： コ ウォン ヨン ,  イ チュン ス
出願人/特許権者： ジニテック インク.
代理人 (1件)： 高田 武志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-503921
公開番号（公開出願番号）：特表2003-536272
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：

【要約】半導体素子などの製造に必要な薄膜を蒸着する方法が開示されている。反応ガスを時分割的に順次に供給するCVD法に、反応ガスの供給周期に同期されたプラズマを生じさせる発明を応用することにより、半導体素子に用いられる膜のうち通常の化学気相蒸着法では蒸着し難い物質膜を蒸着するか、物質の組成を次第に変えた薄膜を形成し得る。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、 前記反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、 前記反応器内に酸素ガスを供給する段階と、 前記反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA02 ,  4K030LA18 ,  5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-361531
  
• 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-034413   出願人：三星電子株式会社
• シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-322458   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド