特許
J-GLOBAL ID:200903054978069159

電子写真装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武井 秀彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-079822
公開番号(公開出願番号):特開2002-351100
出願日: 2002年03月20日
公開日(公表日): 2002年12月04日
要約:
【要約】【課題】 光の干渉による濃度ムラの発生を防止した電子写真装置を提供すること。【解決手段】 電子写真感光体に対して光照射して静電潜像を形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感光体に形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段を備えた電子写真装置において、前記画像形成光照射手段は光源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光がスポット間隔<書き込みビーム径となるように設定され、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真装置。T1≦3.5%(T1は中間層上に設けた電荷発生層の入射角5°での像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。)
請求項(抜粋):
電子写真感光体に対して光照射して静電潜像を形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感光体に形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段を備えた電子写真装置において、前記画像形成光照射手段は光源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光がスポット間隔<書き込みビーム径となるように設定され、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真装置。T1≦3.5%(T1は中間層上に設けた電荷発生層の入射角5°での像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。)
IPC (6件):
G03G 5/047 ,  G03G 5/06 314 ,  G03G 5/06 367 ,  G03G 5/10 ,  G03G 5/14 101 ,  G03G 15/04
FI (6件):
G03G 5/047 ,  G03G 5/06 314 ,  G03G 5/06 367 ,  G03G 5/10 B ,  G03G 5/14 101 E ,  G03G 15/04
Fターム (16件):
2H068AA19 ,  2H068AA28 ,  2H068AA37 ,  2H068AA44 ,  2H068AA52 ,  2H068BA47 ,  2H068BA53 ,  2H068CA32 ,  2H068EA07 ,  2H068FA17 ,  2H068FA27 ,  2H068FB07 ,  2H076AB02 ,  2H076AB05 ,  2H076AB09 ,  2H076AB42
引用特許:
審査官引用 (10件)
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