特許
J-GLOBAL ID：200903055012332046
電界効果型薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250617
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092841
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】電界効果型薄膜トランジスタのチャネル領域となる微結晶半導体層を簡便な製造工程で形成し、高性能で高品質な電界効果型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板上に形成される電界効果型薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁性基板上にゲート電極を形成し前記ゲート電極を被覆してゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に被着する第1の非晶質半導体層を所定の厚さに堆積させる工程と、前記第1の非晶質半導体層を水素放電で発生する水素プラズマに暴露させ微結晶半導体層に変換する工程と、前記微結晶半導体層に被着する第2の非晶質半導体層を堆積させる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に形成される電界効果型薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁性基板上にゲート電極を形成し前記ゲート電極を被覆してゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に被着する第1の非晶質半導体層を所定の厚さに堆積させる工程と、前記第1の非晶質半導体層を水素放電で発生する水素プラズマに暴露させ微結晶半導体層に変換する工程と、前記微結晶半導体層に被着する第2の非晶質半導体層を堆積させる工程と、を含むことを特徴とする電界効果型薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/265
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 E
, G02F 1/136 500
, H01L 21/265 Q
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 627 G
