特許

J-GLOBAL ID：200903055033209171

コンビナトリアル成膜方法とその装置

発明者： 後藤 真宏 ,  笠原 章 ,  土佐 正弘
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-139866
公開番号（公開出願番号）：特開2005-320590
出願日： 2004年05月10日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】 スパッタ法などにおける様々な成膜条件を精確に制御し、成膜条件の異なるコーティング膜を効率的に製造することができるコンビナトリアル成膜方法とその装置を提供する。【解決手段】 真空中に配置された基板に薄膜コーティングする方法において、2つ以上の基板は成膜位置または冷却位置に移動可能であって、1回の真空排気プロセスで、冷却位置の基板は冷却機構により冷却した状態で、コーティング対象基板のみを順次成膜位置に移動し、成膜条件を変化させて成膜することを特徴とするコンビナトリアル成膜方法とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空中に配置された基板に薄膜コーティングする方法において、2つ以上の基板を成膜位置または冷却位置に移動可能とし、1回の真空排気プロセスで、冷却位置の基板は冷却機構により冷却した状態で、コーティング対象基板のみを順次成膜位置に移動し、成膜することを特徴とするコンビナトリアル成膜方法。

IPC (2件)：

C23C14/56 ,  C23C14/34

FI (2件)：

C23C14/56 F ,  C23C14/34 V

Fターム (6件)：

4K029CA06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029JA02 ,  4K029KA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• コンビナトリアル成膜装置用マスキング機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-197947   出願人：科学技術振興事業団

引用文献：

審査官引用 (1件)

• コンビナトリアルスパッタ装置の開発と酸化銅低摩擦コーティング膜の作製