特許
J-GLOBAL ID:200903055036439518

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-029673
公開番号(公開出願番号):特開2005-223144
出願日: 2004年02月05日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【課題】 処理室に複数の処理ガスを交互に供給して基板を処理する基板処理装置において、真空ポンプの2次側の排気管から低温部を無くすことによって、排気管の配管長が長くなっても、反応副生成物による排気管の詰まりを抑制できるようにする。【解決手段】 基板処理装置は、基板としてのウェハ200を処理する処理室201と、処理室201に処理ガスを交互に供給する複数の処理ガス供給手段としてのガス供給管232a,232bと、処理室201を排気する排気手段としての真空ポンプ246と、真空ポンプの一次側と処理室201との間に設けた第1の排気管231と、真空ポンプ246の二次側に設けた第2の排気管234とを有する。このような基板処理装置の第2の排気管234に、高温の不活性ガスN2を供給する不活性ガス供給手段としての加熱ガス供給ユニット221を設けて、第2の排気管234に高温の不活性ガスN2を供給するようになっている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板を処理する処理室と、 前記処理室に複数の処理ガスを交互に供給する複数の処理ガス供給手段と、 前記処理室を排気するための第1の排気管と、 前記第1の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、 前記排気手段から排出されるガスを排気するための第2の排気管と を有する基板処理装置であって、 前記第2の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768
FI (4件):
H01L21/31 B ,  C23C16/44 E ,  H01L21/285 C ,  H01L21/90 P
Fターム (24件):
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA00 ,  4K030LA15 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045EC07 ,  5F045EC10 ,  5F045EE14
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • ガス切替えシステム
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-228852   出願人:富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社

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