特許

J-GLOBAL ID：200903055090073219

炭化珪素半導体素子及びその絶縁膜の形成方法

発明者： 吉川 正人 ,  伊藤 久義 ,  北畠 真 ,  山下 賢哉 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方 ,  宮永 良子
出願人/特許権者： 日本原子力研究所 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209251
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素半導体素子の絶縁膜/炭化珪素界面において、半導体素子として十分な界面準位密度を減少させた絶縁膜及びその形成方法。【解決手段】 表面に2原子層以上の高さを有するステップを含む炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板表面に形成された酸化膜を含み、酸化膜と炭化珪素の界面準位密度が1.5×1012cm-2以下であることを特徴とする、炭化珪素半導体素子、および酸素を含む雰囲気下で複数の設定温度に保ってアニール処理を施す炭化珪素半導体素子の絶縁膜の形成方法であって、1回目のアニール処理に続いて、上記1回目のアニール処理設定温度よりも低い設定温度で2回目のアニール処理を施し、少なくとも2つ以上の異なる設定温度で保たれた酸素を含む雰囲気下でのn回(n≧2)のアニール処理を行う、炭化珪素半導体素子の絶縁膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

表面に2原子層以上の高さを有するステップを含む炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板表面に形成された酸化膜を含み、酸化膜と炭化珪素の界面準位密度Nitが1.5×1012cm-2以下であることを特徴とする、炭化珪素半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 658 F

Fターム (7件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367420   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077876   出願人：株式会社デンソー