パターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303088
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161712
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は基板上に微細パターンを形成するパターン形成方法に関し、高品質な微細パターンを形成することを目的とする。【構成】支持基板21上に絶縁膜22が形成され、この上にCr金属層23、Cu導体層24、Cr膜26をスパッタリングにより順次形成し、パターン形成部分にレジスト27を形成する。そして、レジスト27領域以外の不要な部材を除去し、レジスト27及びCrエッチング膜26aを除去する構成とする。

請求項（抜粋）：

支持基板(21)上に、絶縁膜(22)を介して導体膜(25)を形成する工程と、前記導体膜(25)上に非酸化金属膜(26)を形成する工程と、前記非酸化金属膜(26)のパターン形成部分に感光性絶縁部材(27)を形成する工程と、前記絶縁膜(22)上の前記感光性絶縁部材(27)の領域以外の不要な部材を除去する工程と、前記パターン形成部分の前記感光性絶縁部材(27)及び前記非酸化金属膜(26a)を除去する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-067655
特開平3-152807
特開昭61-256731

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