特許
J-GLOBAL ID：200903055122205945
窒化物系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071017
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270801
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、へき開あるいはエッチング等を用いないで平坦な共振器面あるいはストライプ構造を作製することを目的とする。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板上に選択成長させて形成された六角柱構造の平行となる2つの面を共振器面として用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体を積層して形成された窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、前記窒化物系III-V族化合物半導体が六角柱状であり、前記六角柱の平行となる2つの平面を共振器面とする窒化物系III-V族化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (1件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-065546
出願人：株式会社日立製作所
引用文献：
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