特許
J-GLOBAL ID：200903055137175929
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-183336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046291
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 素子抵抗の低い面発光レーザを提供する。特に格子不整合系において、欠陥の少ない活性層を有する面発光レーザを提供する。【構成】 サファイア基板101上にMOCVD法によりn型GaN/AlN半導体多層膜からなる第1の反射器102を積層する。次に第1の絶縁膜103をCVD法により約4000オングストローム堆積する。直径10μmの円形部分を残してレジストエッチングマスクを形成する。ドライエッチングにより前記第1の反射器102が露出するまで前記第1の絶縁膜103をエッチングする。続いてMOCVD法によりInGaNからなる活性層104を選択成長する。活性層104は微小領域に成長されるのでサファイア基板との格子不整合による応力歪みが外部へ拡散され、欠陥の少ない結晶を積層することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、半導体多層膜で構成され第1の伝導型を有する第1の反射器を積層する工程と、前記第1の反射器上に第1の絶縁膜を積層する工程と、前記第1の絶縁膜の一部を除去し前記第1の反射器の表面を露出する工程と、前記第1の反射器の露出した部分に半導体結晶からなる活性層を選択成長する工程と、半導体多層膜で構成され第2の伝導型を有する第2の反射器を積層する工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
