特許
J-GLOBAL ID：200903055149510928
窒化物半導体の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084935
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277433
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体の製造方法および製造装置において、少量の窒素源で低温成長ができるとともに、結晶性を向上させること。【解決手段】 ガス化させた窒素源と他の原料ガスTMGとを基板SUB上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造方法であって、ヒドラジンHDを前記窒素源としている。
請求項（抜粋）：
ガス化させた窒素源と他の原料ガス(TMG)とを基板(SUB)上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造方法であって、ヒドラジン(HD)を前記窒素源としていることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
5F041AA31
, 5F041AA40
, 5F041CA34
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AD10
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB07
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045EE04
, 5F045EG08
, 5F045EK02
