特許
J-GLOBAL ID：200903055167024160

多層薄膜状光触媒の作製方法、およびその多層薄膜状光触媒を用いた水素の製造方法

発明者：
粕谷 厚生

粕谷 厚生 について

, 
田路 和幸

田路 和幸 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355461
公開番号（公開出願番号）：特開2003-154272
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：
【要約】【課題】 太陽光の波長のほぼ全域で作用する化合物半導体薄膜からなる多層光触媒の作製方法と、該多層光触媒を用いた水素製造方法とを提供する。【解決手段】 化合物半導体原料となる化学種を含有してなる溶液に、導電性基材を陰極とし、参照電極および対向電極とともに浸漬し、該基材の表面に、第1の化合物半導体層および、該第1の化合物半導体層のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第2の化合物半導体層を電析により順次、或いは両半導体の混晶比を傾斜的に変化させて析出・固定化させて多層薄膜状光触媒を作製する。また、該多層薄膜状光触媒をアルカリ性溶液に浸漬し、光を照射することによって水素ガスを製造する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体原料となる化学種を含有してなる溶液に導電性基材を浸漬し、該基材表面に、第1の化合物半導体層および、該第1の化合物半導体層のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第2の化合物半導体層を電析により順次、或いは両半導体の混晶比を傾斜的に変化させて析出・固定化させることを特徴とする多層薄膜状光触媒の作製方法。
IPC (6件)：
B01J 27/04 ,  B01D 53/86 ,  B01J 35/02 ZAB ,  B01J 37/02 301 ,  C01B 3/04 ,  C25D 9/04
FI (6件)：
B01J 27/04 A ,  B01J 35/02 ZAB J ,  B01J 37/02 301 N ,  C01B 3/04 A ,  C25D 9/04 ,  B01D 53/36 J
Fターム (33件)：
4D048AA03 ,  4D048AA21 ,  4D048AA22 ,  4D048AB03 ,  4D048BA16X ,  4D048BA32Y ,  4D048BA39X ,  4D048BA46X ,  4D048BB03 ,  4D048BB16 ,  4D048CC63 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA17 ,  4G069BA48A ,  4G069BB09A ,  4G069BB09B ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC36A ,  4G069BC36B ,  4G069BC70A ,  4G069CA02 ,  4G069CA04 ,  4G069CA05 ,  4G069CA10 ,  4G069CA17 ,  4G069CC33 ,  4G069EC27 ,  4G069EC29 ,  4G069FA03 ,  4G069FB11 ,  4G069FB21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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