特許
J-GLOBAL ID:200903055177258797
加熱装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-364953
公開番号(公開出願番号):特開2002-170655
出願日: 2000年11月30日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】基体上の被加熱体を加熱する加熱装置において、基体上の載置面におけるコールドスポットを効果的に防止することで載置面の温度の均一性を高めるような構造を提供する。【解決手段】加熱装置15Aは、被加熱体2を載置する載置面5aを有する基体5と、基体5および被加熱体2を加熱するための主要加熱素子層7Aと、主要加熱素子層7Aと積層されている補助加熱素子層7Bと、主要加熱素子層7Aと補助加熱素子層7Bとの間に介在する絶縁体6とを備えている。補助加熱素子層7Bの面積が主要加熱素子層7Aの面積よりも小さく、主要加熱素子層の発熱によって基体および被加熱体を加熱している間に、補助加熱素子層7Bからの発熱によって基体5からの熱の逃げを補填するように構成されている。
請求項(抜粋):
被加熱体を載置する載置面を有する基体と、この基体および前記被加熱体を加熱するための主要加熱素子層と、この主要加熱素子層と積層されている補助加熱素子層と、前記主要加熱素子層と前記補助加熱素子層との間に介在する絶縁体とを備えている加熱装置であって、前記補助加熱素子層の面積が前記主要加熱素子層の面積よりも小さく、前記主要加熱素子層の発熱によって前記基体および前記被加熱体を加熱している間に、前記補助加熱素子層からの発熱によって前記基体からの熱の逃げを補填するように構成されていることを特徴とする、加熱装置。
IPC (5件):
H05B 3/68
, H01L 21/31
, H05B 3/10
, H05B 3/20 310
, H05B 3/20 328
FI (5件):
H05B 3/68
, H01L 21/31 B
, H05B 3/10 A
, H05B 3/20 310
, H05B 3/20 328
Fターム (47件):
3K034AA02
, 3K034AA15
, 3K034AA16
, 3K034AA20
, 3K034AA21
, 3K034AA22
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC05
, 3K034BC16
, 3K034BC17
, 3K034BC22
, 3K034BC29
, 3K034CA15
, 3K034FA05
, 3K034FA17
, 3K034HA01
, 3K034HA10
, 3K034JA02
, 3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB27
, 3K092QB31
, 3K092QB32
, 3K092QB33
, 3K092QB44
, 3K092QB45
, 3K092QC38
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092RF26
, 3K092RF27
, 3K092SS05
, 3K092SS14
, 3K092TT09
, 3K092VV15
, 3K092VV22
, 5F045AA03
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045BB02
, 5F045DP02
, 5F045DQ10
, 5F045EK09
, 5F045EM02
引用特許: