特許
J-GLOBAL ID：200903055183668484
ショットキーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077682
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】ショットキーダイオードにおいて、過電圧による素子破壊を防止する。【解決手段】ショットキー障壁形成領域にpn接合を形成し、降伏電圧をpn接合のパンチスルーにより制御するものである。【効果】逆方向の過電圧に対する耐性の優れた高耐圧,大電流のショットキーダイオードが得られる。
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有する第一導電型の半導体基体と、前記半導体基体の一方の主表面に形成され、前記半導体基体との間にショットキー障壁をなすショットキー金属と、前記ショットキー金属の終端部分において前記ショットキー金属とオーム性接触し、前記半導体基体とpn接合を形成する第二導電型の第一半導体層と、前記半導体基体の他方の主表面において、前記半導体基体にオーム性低抵抗接触するカソード電極と、前記半導体基体の前記一方の主表面において前記ショットキー金属と接触し、前記半導体基体との間にpn接合を形成する第二導電型の複数の第二半導体層と、を有し、前記第二半導体層のpn接合の降伏電圧が他の部分より低いことを特徴とするショットキーダイオード。
Fターム (5件)：
4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104FF06
, 4M104FF35
, 4M104GG03
