特許

J-GLOBAL ID：200903055185177640

磁気トンネル接合の切替え磁界の特性を変更するための方法

発明者： トーマス・アンソニー ,  ルン・トラン ,  マニシュ・シャーマ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218430
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】メモリデバイスの磁気特性の変動を抑えて、従来のメモリデバイスよりも性能の優れたメモリデバイスを実現するための手段を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合は、ピン止めされた層とセンス層を形成し(206,210)、それらの層のうちの少なくとも1つの層の磁化ベクトルを再設定する(220)ことによって製造される。

請求項（抜粋）：

ピン止め層およびセンス層を含む磁気トンネル接合を形成するステップ(206および210)と、前記層の少なくとも1つの磁化ベクトルを再設定するステップ(220)を含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019744   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー