特許

J-GLOBAL ID：200903055201354484

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 小田 宗隆 ,  清水 哲司
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133671
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283423
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 大粒径の多結晶シリコン膜を得る実用的な形成方法を提供することを目的とする。【構成】 下地となるシリコン酸化膜2表面を、前処理工程として予めエッチング作用を有する液状体、例えばフッ酸、アンモニア過水等で洗浄した後、アモルファスシリコン膜3を堆積させ、熱処理して結晶化させることにより多結晶シリコン膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

下地となるシリコン酸化膜上にアモルファスシリコン膜を堆積させた後、該アモルファスシリコン膜を熱処理して結晶化させる多結晶シリコン膜の形成方法において、前記アモルファスシリコン膜を堆積させる前に、前記シリコン酸化膜表面をエッチング作用を有する液状体で洗浄することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-042510
  
• 半導体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-255328   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平3-289129
  
• 特開平3-289140