半導体装置及びそれを用いた放射線撮像システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250295
公開番号（公開出願番号）：特開2001-074845
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】貼り合わせ時に半導体装置のシンチレータが破壊されることを防止する。【解決手段】シンチレータを形成した第1の基体と、光電変換部を形成した第2の基体とを接着材を介して貼り合わせた半導体装置において、前記シンチレータの形状が破壊されないように、前記シンチレータを覆うように保護層を形成する。

請求項（抜粋）：

シンチレータを形成した第1の基体と、光電変換部を形成した第2の基体とを接着材を介して貼り合わせた半導体装置において、前記シンチレータの形状が破壊されないように、前記シンチレータを覆うように保護層を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G01T 1/20 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (4件)：

G01T 1/20 B , G01T 1/20 D , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

Fターム (28件)：

2G088FF02 , 2G088GG16 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ10 , 2G088JJ37 , 4M118AA01 , 4M118AA08 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CA33 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118FB26 , 4M118GA02 , 4M118GA10 , 5F088AB05 , 5F088BA01 , 5F088BB03 , 5F088DA01 , 5F088EA08 , 5F088HA15 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-004140 出願人：株式会社日立製作所
放射線検出装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034903 出願人：キヤノン株式会社
反射および保護膜を有するソリッドステート放射線イメージャ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222517 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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