特許
J-GLOBAL ID：200903055234579414
シリサイド反応を利用した半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277995
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139197
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高速書き込み、読み出しが可能で、且つ信頼生の極めて高い半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 一対の導体間に半導体層を有するセルが複数配された半導体装置において、一対の導体の内少なくとも一方が金属で構成され、半導体層は金属と反応速度が10m/sec以上でシリサイド反応をして、150nm以下の幅を持つシリサイド領域を形成しうるa-Siからなることを特徴とする。または、一対の導体の内少なくとも一方がa-Siとシリサイド反応する金属からなり、形成されるシリサイド領域が直径150nm以下の錐形となる構造を有することを特徴とする。または、一対の導体の少なくとも一方をa-Siと反応して150nm以下のシリサイド領域を形成しうる金属で形成すると共に、a-Siの形成工程と金属の形成工程との間で被成膜面を酸素雰囲気に晒すことなく作製したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一対の導体間に半導体層を有するセルが複数配された半導体装置において、前記一対の導体の内少なくとも一方が金属から構成され、前記半導体層は、前記金属と反応速度が10m/sec以上でシリサイド反応をして、150nm以下の幅を持つシリサイド領域を形成しうるアモルファスシリコンからなることを特徴とするシリサイド反応を利用した半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/82
, G11C 17/06
, H01L 21/285 301
, H01L 21/8246
, H01L 27/112
H01L 21/82 F
, G11C 17/06 D
, H01L 21/82 A
, H01L 27/10 433
