特許
J-GLOBAL ID：200903086440936560
シリサイド反応を利用した半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090921
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297293
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高速書き込み、読み出しが可能で、且つ誤動作の生じ難い信頼生の高い半導体記憶装置を安価にて提供することを目的とする。【構成】 一対の導体間に半導体層を有するセルが複数配された半導体装置において、一対の導体の内少なくとも一方が金属から構成され、半導体層は、金属と反応速度が10m/sec以上でシリサイド領域を形成し得るa-Siからなることを特徴とする。また、半導体層がa-Siからなり、一対の導体の内少なくとも一方がa-Siとシリサイド反応する金属からなり、形成されるシリサイド領域が錐形となる構造を備えたことを特徴とする。または、半導体層をa-Siで形成し、一対の導体の少なくとも一方をa-Siとシリサイド反応する金属で形成するとともに、a-Siの形成工程と金属の形成工程との間で被成膜面を酸素雰囲気に晒すことなく作製したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一対の導体間に半導体層を有するセルが複数配された半導体装置において、前記一対の導体の内少なくとも一方が金属から構成され、前記半導体層は、前記金属と反応速度が10m/sec以上でシリサイド反応をしてシリサイド領域を形成し得るアモルファスシリコンからなることを特徴とするシリサイド反応を利用した半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 27/10 431
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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