特許
J-GLOBAL ID:200903055235983243
基板処理方法および基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-094745
公開番号(公開出願番号):特開2006-278655
出願日: 2005年03月29日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 ノズルや該ノズルに接続された供給手段に残留付着している処理液を確実に除去しながらも、装置のスループットを向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】 開閉弁86を閉止した状態で開閉弁81を開くことにより下部洗浄ノズル29とウエハの下面との間に形成された液溜りは2つのニードル弁84,85を介して吸引される。ニードル弁85は第1の流量(FV1)に比べて小さな第2の流量(FV2)に調整されており液溜りの吸引速度はニードル弁85によって律速され、液溜りは比較的低速に設定された第1速度(V1)で吸引される。液溜りが下部洗浄ノズル29の内部に取り込まれると、開閉弁86を開放し、液溜りはニードル弁84によって律速された第1速度よりも高速の第2速度(V2)に切り換えられる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
ノズルに接続された供給手段を介して第1処理液を前記ノズルに供給することで該ノズルから基板に向けて前記第1処理液を吐出させて前記基板に対して前記第1処理液によるリンス処理を施すリンス工程と、
その一方端が前記供給手段に接続された吸引経路に沿って、前記ノズルと前記供給手段とに残留付着する前記第1処理液の液滴を吸引して前記ノズルと前記供給手段とから前記第1処理液の液滴を除去する吸引工程と
を備え、
前記吸引工程は、前記第1処理液の液滴の吸引速度を第1速度から該第1速度よりも高速の第2速度に少なくとも2段階に加速させながら前記第1処理液の液滴を吸引することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/304
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/304 648K
, H01L21/304 643A
, H01L21/306 R
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (2件)
-
液処理装置および液処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-113210
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-160239
出願人:国際電気株式会社
前のページに戻る