特許
J-GLOBAL ID：200903055247955210
半導体装置の構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224950
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068041
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 金属酸化膜を容量素子とした半導体記憶装置において、水素を含んだ雰囲気での熱処理においても容量膜が劣化しない装置を提供する。【解決手段】 全容量素子の上面、側面、下面にシリコン窒化膜を配置し、基板と接続するコンタクト孔内面にもシリコン窒化膜を配置し、さらに外部配線とのコンタクト孔を容量素子と離れた位置に配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた容量素子を具備する半導体装置において、半導体基板と容量素子とを絶縁する層間膜にコンタクト孔が配置され、前記コンタクト孔内側面、容量素子と層間膜との間、容量素子上面および側面にシリコン窒化膜が配置され、コンタクト孔内には、金属または多結晶シリコンのプラグが形成され、コンタクト孔上面に容量素子を形成する容量蓄積電極、容量膜および対向電極が配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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