特許
J-GLOBAL ID：200903057607722320

強誘電体不揮発性半導体記憶装置

発明者：
落合 昭彦

落合 昭彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116123
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 低コストで製造することができ且つメモリセル面積を小さくして高集積化を図ることができる強誘電体不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 キャパシタ54の下部電極であるPt膜47の全体と強誘電体膜であるSrBi2 Ta2 O9 膜51の全体とが互いに重畳しており、これらの側面にSiO2 膜52から成る側壁が設けられており、上部電極であるPt膜53がSrBi2 Ta2 O9 膜51の上面に接触している。SiO2 膜52から成る側壁はPt膜47等に対して自己整合的に形成することができるので、マスク工程が不要であり、合わせずれに対する余裕領域も不要である。
請求項（抜粋）：
メモリセルを構成するキャパシタのキャパシタ絶縁膜として強誘電体膜が用いられている強誘電体不揮発性半導体記憶装置において、前記キャパシタの下部電極の全体とこの下部電極上に積層されている前記強誘電体膜の全体とが互いに重畳しており、前記下部電極及び前記強誘電体膜の側面に絶縁性の側壁が設けられており、前記強誘電体膜の上面の少なくとも一部に前記キャパシタの上部電極が接触していることを特徴とする強誘電体不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-279646   出願人：シャープ株式会社
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198933   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
  • 特開平3-050728
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM