特許
J-GLOBAL ID：200903055258382859
ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064923
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256331
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】 プラスチック容器において、ガスの透過を阻止することが可能で、容器内壁の洗浄に対しても内壁面に損傷を生じせしめることのない、また、繰り返し使用可能なもの。【解決手段】 プラスチック容器内壁面にダイヤモンド状炭素膜を形成するに際し、原料炭化水素ガスの分解を促進するためのプラズマの増強手段としてプラスチック容器内壁面近傍に磁場を発生させ、それにより捕捉された電子と原料炭化水素ガスとの衝突回数を多くしてダイヤモンド状炭素膜の生成速度を大きくし、また、その容器内壁面には負の自己バイアス電圧を生じさせて分解した炭化水素イオン種や炭素イオン及び水素イオンを入射させて緻密なダイヤモンド状炭素膜を形成する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により、プラスチック容器内壁面にダイヤモンド状炭素膜を形成するに際し、原料炭化水素ガスの分解を促進するためのプラズマの増強手段としてプラスチック容器内壁面近傍に磁場を発生させ、それにより捕捉された電子と原料炭化水素ガスとの衝突回数を多くしてダイヤモンド状炭素膜の生成速度を大きくし、また、該容器内壁面には負の自己バイアス電圧を生じさせて分解した炭化水素イオン種や炭素イオン及び水素イオンを入射させて緻密なダイヤモンド状炭素膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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