特許

J-GLOBAL ID：200903055292812820

単結晶の製造方法及びその装置

発明者： 明石 義弘 ,  滝内 薫 ,  岡本 節男
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095617
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279170
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】 溶融層法における固体層と単結晶との接触を回避し得る単結晶の製造方法及びその実施に使用する装置を提供する。【構成】 坩堝3の外周にはヒータ4が周設されている。ヒータ4の下方には、ヒータ4を上下移動させるための軸を兼ねた電極4aが取り付けられており、電極4aの下端は板部4bにて固定され、チャンバ1の下壁と板部4bとの間の電極4aの周囲はベローズ4eにて囲まれている。板部4bは両側に設けられたガイド4cに沿って上下移動するようになっており、この移動は昇降機構4dにて行うようになしてある。そして引き上げ軸12の引き上げ速度に応じてヒータ4の位置を移動調節して、単結晶8を成長させる。

請求項（抜粋）：

坩堝内の原料の上部はヒータにて溶融して溶融液層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融液層の表面に接触させて引き上げることにより、前記溶融液層の溶融液が凝固して形成される単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、前記単結晶の引き上げ速度に応じて、前記溶融液層の表面位置に対する前記ヒータの位置を上下方向に移動調節して、前記単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-228894
  
• 特公昭45-015604
  
• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-026261   出願人：住友金属工業株式会社