特許
J-GLOBAL ID：200903055340134162
エッチング装置、無欠陥層基板の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-266557
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099581
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【要 約】【課題】欠陥層を除去できる低コストの技術を提供する。【解決手段】反応室6にバッファータンク35を接続し、固体XeF2が配置されたガスボンベ31を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク35を充填し、反応室6とバッファータンク35を接続して反応室6内をエッチングガスで充満させ、プラズマを発生させずにシリコン基板11表面の欠陥層13をエッチング除去する。バッファータンク35により、固体XeF2からのエッチングガス発生速度が遅くても、待ち時間を発生させないで済む。バッファータンク35を昇温させておき、バッファータンク35の内壁に固体XeF2が析出しないようにしておくとよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応室と、
XeF2ガスから成るエッチングガスが充填されたガスボンベと、
前記反応室と前記ガスボンベに接続されたバッファータンクと、
前記バッファータンクを加熱するタンク加熱装置とを有し、
前記ガスボンベから前記エッチングガスが前記バッファータンクに供給され、前記エッチングガスが前記タンク加熱装置によって加熱され、50°C以上100°C以下の温度で前記反応室に導入されるように構成されたエッチング装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F004AA06
, 5F004AA11
, 5F004AA14
, 5F004BA19
, 5F004BB02
, 5F004BC03
, 5F004BC08
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA19
, 5F004DA20
, 5F004DA23
, 5F004DB01
, 5F004FA07
