熱処理方法及び熱処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228135
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058423
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】高精度なパターンを得るために基板表面の温度を精度良く測定することができ、かつ基板の表面温度をin-situ でモニタし加熱制御等に即座にフィードバックできる。【解決手段】石英基板上にCr膜が形成され、その上にレジスト膜が形成されたマスクブランクス1を裏面側から加熱するヒータ2a,2bと、マスクブランクス1のレジスト表面の温度を非接触で測定する赤外センサ5と、赤外センサ5に対しマスクブランクス1の表面測定個所を中心にして鏡面の位置関係にあるように配置された黒体4とを備えた熱処理装置において、赤外センサ5による測定波長をマスクブランクス1で殆ど透過しない範囲である11μmに設定した。

請求項（抜粋）：

基板上に感光性薄膜が形成された被処理基体の表面の温度を放射温度計により非接触で測定しながら、被処理基体を所望温度に加熱する熱処理方法であって、前記放射温度計による測定波長を2.7〜2.8μmの範囲、又は4.3μm以上に設定したことを特徴とする熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38

FI (2件)：

H01L 21/30 567 , G03F 7/38

Fターム (5件)：

2H096AA25 , 2H096DA01 , 5F046KA04 , 5F046KA07 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-025729
特開平2-259535
基体温度測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203408 出願人：株式会社日立製作所

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