特許
J-GLOBAL ID:200903055341472010
電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-007666
公開番号(公開出願番号):特開平11-204415
出願日: 1998年01月19日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】“かぶり”による照射量変動を抑制して、仕上がり寸法が均一なパターンを形成する。【解決手段】先ず、CADシステムにより設計されたパターンを描画データに変換するデータ変換用計算機に入力し、変換された描画データを制御計算部に入力する(ステップS1)。次いで、試料基板を近接効果補正用と“かぶり”補正用とのそれぞれ別のメッシュに分割する。そして、それぞれのメッシュを用いて、近接効果補正データU(X) と“かぶり”補正データV(X) とを演算する(ステップS2)。制御回路は、“かぶり”補正データV(X) と近接効果補正データU(X) を用いて照射量D(X) を決定する(ステップS3)。
請求項(抜粋):
光学系から試料基板に対して電子ビームを照射してパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、近接効果によって前記試料基板に照射される照射量を演算する第1の演算手段と、“かぶり”によって前記試料基板に照射される照射量を演算する第2の演算手段と、前記電子ビームの各照射位置において、該試料基板に対して与えられる実照射量が所定照射量になるように、第1及び第2の演算手段で演算された照射量に応じて、前記光学系から照射される照射量を求める第3の演算手段と、第3の演算手段で演算された照射量に基づいて、前記試料基板に対して各照射位置毎に電子ビームを照射する手段とを具備してなることを特徴とする電子ビーム描画装置。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, H01J 37/04
, H01J 37/305
FI (4件):
H01L 21/30 541 M
, G03F 7/20 504
, H01J 37/04 A
, H01J 37/305 B
引用特許:
審査官引用 (5件)
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描画データ作成方法、及び描画データ作成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-229413
出願人:株式会社日立製作所, 日立コンピュータエンジニアリング株式会社
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特開昭62-283627
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電子ビーム露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-139496
出願人:富士通株式会社
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特開昭63-058829
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荷電粒子ビーム露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-326202
出願人:富士通株式会社
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