特許
J-GLOBAL ID：200903055397683987
中性塩素原子平行ビームによるナノマスクエッチング
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383528
公開番号（公開出願番号）：特開2005-144585
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】ナノメータサイズの半導体基板の微細加工を高精度で量産に適した手段で実現する。【解決手段】微粒子1を保持している有機物分子2を基板上に配置するステップ(a)と、少なくとも上記微粒子1をエッチングマスクとして上記基板6をエッチング加工するステップ(b)とを含む微小構造体の精密加工方法において、エッチングガスとして中性粒子を用いてエッチングすることを特徴とする微小構造体の精密加工方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
微粒子を保持可能な保持部に無機材料または微粒子を保持している有機物分子を基板上に配置するステップ(a)と、少なくとも上記微粒子をエッチングマスクとして上記基板をエッチング加工するステップ(b)とを含む微小構造体の精密加工方法において、上記有機物分子がタンパク質を含む分子であり、上記微粒子が無機物質を含むことを特徴とする微小構造体の精密加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B81C1/00
, H01L21/302 105A
5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004CA09
, 5F004DA04
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004EA03
