特許
J-GLOBAL ID:200903055399530754
フリップチップ実装方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 長七 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-266015
公開番号(公開出願番号):特開平9-115954
出願日: 1995年10月13日
公開日(公表日): 1997年05月02日
要約:
【要約】【課題】実装時の歩留りを低減し、装置の信頼性を向上させたフリップチップ実装方法を提供する。【解決手段】多層基板1の内層に電極2を形成し、電極2の上方に設けられた凹部3にクリーム半田4を塗布する。また、多層基板1と半導体装置5との接合面で、凹部3以外の多層基板1の表面に封止用樹脂7を予め塗布しておく。ここで、下面にバンプ6が形成された半導体装置5を、凹部3とバンプ6を位置合わせして、多層基板1に当接させる。更に、半導体装置5を多層基板1に圧接して、クリーム半田4とバンプ6とを接触させた状態で、リフロー炉にて加熱し、クリーム半田4を溶融させて電極2とバンプ6とを接触させるとともに、封止用樹脂7を硬化させて、多層基板1を半導体装置5に実装する。
請求項(抜粋):
下面にバンプが形成された半導体装置を基板に実装する際、前記基板表面に前記バンプと接合する電極を形成し、前記電極上に半田を塗布し、更に前記基板表面の前記電極以外の前記半導体装置接合部位に予め封止用樹脂を塗布し、前記バンプを前記電極に突接させ、リフローにより前記電極上の前記半田を溶融させて前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記封止用樹脂を硬化させて前記半導体装置を前記基板に実装したことを特徴とするフリップチップ実装方法。
IPC (4件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H05K 1/18
, H05K 3/46
FI (4件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 R
, H05K 1/18 L
, H05K 3/46 N
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開平2-256252
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半導体装置の実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-044545
出願人:シャープ株式会社
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