特許

J-GLOBAL ID：200903055403415817

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： イマッド マハウィリ
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011166
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257204
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】成長プロセスを促進し、処理温度を下げて新しいデバイスへの応用を可能にすると共に作成した膜の安定性を保つように反応ガスを供給できる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ18と、ガス注入アセンブリ16とを備える。ガス注入アセンブリは、少なくとも一種類のガスを処理チャンバ内に注入し、イオン化してガスの基板との反応性を高め、半導体基板の処理を促進する。ガスはイオン化されてガスプラズマとなる。ガス注入アセンブリは、電磁場でガスをイオン化するプラズマ発生器14を備える。ガスプラズマ発生器は、基板をプラズマ発生器から隔離するために、処理チャンバの外側でガスをイオン化する。ガス注入アセンブリは、1以上の注入チューブ46をさらに備える。各チューブは、イオン化されたガスを処理チャンバに届ける複数のオリフィスを備える。

請求項（抜粋）：

処理チャンバと、少なくとも一種のガスを前記処理チャンバに注入し、前記処理チャンバ内に注入される前記ガスをガスプラズマ化するガス注入アセンブリとを備える基板処理装置であって、前記ガス注入アセンブリは、少なくとも2つのガス注入チューブを備え、前記ガス注入チューブのうちの第1のものは、前記処理チャンバに第1のガスを注入し、前記ガス注入チューブのうちの第2のものは、前記処理チャンバに第2のガスを注入し、前記ガス注入アセンブリは、前記第1および第2のガスのうち少なくとも一つをガスプラズマ化して前記処理チャンバ内へ注入することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-109713
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214109   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平1-109713