特許
J-GLOBAL ID:200903055403434951

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 祥二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-270300
公開番号(公開出願番号):特開2004-111542
出願日: 2002年09月17日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】複数の半導体レーザ素子が使用される半導体レーザ装置で、簡単な光学系で、而も固体レーザ媒質に対する負担が少なく、レーザ特性の維持が容易である半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】複数の半導体レーザ素子15を具備する励起用半導体レーザアレイ16と、片端面に反射鏡5が形成された固体レーザ媒質6と前記反射鏡と平行に設けられた出力鏡7とで構成された光共振器を有し、複数の前記半導体レーザ素子から射出されたレーザ光線17が個々に前記光共振器に入射し、レーザ光線がそれぞれ増幅されて光共振器より射出される様構成した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の半導体レーザ素子を具備する励起用半導体レーザアレイと、片端面に反射鏡が形成された固体レーザ媒質と前記反射鏡と平行に設けられた出力鏡とで構成された光共振器を有し、複数の前記半導体レーザ素子から射出されたレーザ光線が個々に前記光共振器に入射し、レーザ光線がそれぞれ増幅されて光共振器より射出される様構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件):
H01S3/094 ,  G02F1/37 ,  H01S3/08
FI (3件):
H01S3/094 S ,  G02F1/37 ,  H01S3/08
Fターム (19件):
2K002AB12 ,  2K002CA02 ,  2K002DA02 ,  2K002EA22 ,  2K002EA25 ,  2K002HA20 ,  5F072AB02 ,  5F072AB07 ,  5F072AB20 ,  5F072FF09 ,  5F072JJ01 ,  5F072JJ05 ,  5F072JJ06 ,  5F072JJ09 ,  5F072JJ12 ,  5F072KK05 ,  5F072KK18 ,  5F072KK30 ,  5F072SS06
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 半導体励起固体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-283188   出願人:三菱電機株式会社
  • 特開平4-247674
  • レーザ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-112910   出願人:三井石油化学工業株式会社
全件表示

前のページに戻る