特許
J-GLOBAL ID：200903055406675763
縦型MOSFETおよびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038678
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036595
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 破壊耐量や耐圧を高く維持しながら、チャネル長を短くして、優れた電気特性の縦型MOSFETおよびその製法を提供する。【解決手段】 ドレイン領域1とする第1導電形(たとえばn形)の半導体層の表面側に第2導電形(p形)の拡散領域(ボディ領域)2が形成され、その拡散領域2の表面側に第1導電形(n形)のソース領域3が形成されている。そして、ソース領域3およびドレイン領域1により挟まれ、前記拡散領域2の表面側にチャネル領域8が形成されている。チャネル領域8の表面にはゲート絶縁膜(ゲート酸化膜)4を介してゲート電極5が設けられている。そして、チャネル領域8を形成する拡散領域2とドレイン領域1との境界部がその表面側で拡散領域2側に食い込まれる形状に形成されていることに特徴がある。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域とする第1導電形の半導体層と、該半導体層の表面側に形成される第2導電形の拡散領域と、該第2導電形の拡散領域内の表面側に形成される第1導電形のソース領域と、該ソース領域および前記ドレイン領域により挟まれ、前記第2導電形拡散領域の表面側に形成されるチャネル領域と、該チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極とからなり、前記チャネル領域を形成する前記第2導電形拡散領域と前記ドレイン領域との境界部がその表面側で前記第2導電形拡散領域側に食い込まれる形状に形成されてなる縦型MOSFET。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 658 D
