特許

J-GLOBAL ID：200903055417109042

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ

発明者： 阿賀 浩司 ,  横川 功 ,  高野 清隆 ,  三谷 清
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221198
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】埋め込み酸化膜の厚さを薄くしてもブリスターやボイドを発生させず、SOI層の結晶性が極めて良好なSOIウエーハを製造する方法を提供する。【解決手段】ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜を介して前記ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せた後、ボンドウエーハを薄膜化することによってSOIウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に形成される酸化膜のトータルの厚さが、前記製造されるSOIウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして酸化膜の形成を行った後、該形成した酸化膜を介してボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せてからボンドウエーハを薄膜化してSOI層を形成し、得られた貼り合せウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うSOIウエーハの製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜を介して前記ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せた後、ボンドウエーハを薄膜化することによって、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に形成される酸化膜のトータルの厚さが、前記製造されるSOIウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして酸化膜の形成を行った後、該形成した酸化膜を介してボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せてからボンドウエーハを薄膜化してSOI層を形成し、その後、得られた貼り合せウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

FI (3件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/76 D

Fターム (8件)：

5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032DA21 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜半導体基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038848   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社