薄膜半導体基板の表面処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038848
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242154
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】厚さ数百nm以下の極めて薄い薄膜であっても、薄膜の厚さを変えずにかつ面内の厚さのばらつきを大きくせずに、薄膜の平均表面粗さを0.1nmオーダーに改善する。【解決手段】本発明の処理方法は、平均表面粗さが少なくとも0.2nmである単結晶薄膜13を有する半導体基板12を水素雰囲気のような活性雰囲気中で1000〜1300°Cの温度で10分〜5時間熱処理する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(12)上に形成された平均表面粗さが少なくとも0.2nmである単結晶薄膜(13)の表面を処理する方法において、前記半導体基板(12)を活性雰囲気中で1000〜1300°Cの温度で10分〜5時間熱処理することを特徴とする薄膜半導体基板の表面処理方法。

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016523 出願人：キヤノン株式会社
シリコンウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090135 出願人：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
半導体基体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-264386 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (3件)

半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016523 出願人：キヤノン株式会社
シリコンウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090135 出願人：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
半導体基体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-264386 出願人：キヤノン株式会社

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