特許

J-GLOBAL ID：200903055418277950

ZnO系半導体発光素子

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069076
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 MgxZn1-xO型酸化物(0≦x≦1)よりなるZnO系半導体発光素子において、活性層を高品質にて確実に形成でき、ひいては高性能で安価な青色発光型の発光素子を提供する。【解決手段】 ダブルへテロ型の発光層部10において、ZnO系半導体活性層4を、SeもしくはTeを含むZnOを主体としたZnO系半導体より形成することで、活性層4の形成過程におけるZnO結晶の酸素欠損したサイトに同族であるSeもしくはTeを導入することが可能となり、活性層4の結晶性を向上させることができる。また、SeもしくはTeを導入することで、バンドギャップエネルギーが青色より短波長側に位置するZnOより活性層を形成した場合に比べて、活性層4より得られる発光波長を長波長側にシフトさせることができるので、高発光効率の青色発光型発光素子の実現に寄与することになる。

請求項（抜粋）：

発光層部がダブルへテロ構造を有するとともに、活性層およびクラッド層よりなる前記ダブルへテロ構造において、前記活性層は、II族元素をZnとし、VI族元素をOと、SeまたはTeとしたII-VI族化合物半導体より形成され、他方、前記クラッド層は、MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)型酸化物より形成されてなることを特徴とするZnO系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/365

FI (2件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/365

Fターム (32件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-268950   出願人：キヤノン株式会社
• A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-211223   出願人：工業技術院長, ローム株式会社