A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：河村洌 , 河村洌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044500
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】結晶性の優れたZnO系化合物半導体が得られ、素子の特性を向上させた半導体発光素子などのZnO系化合物半導体を用いる素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1のC面と直交する面、たとえばA面(11-20)を主面とするサファイア基板1の前記主面(A面)上にZnO系化合物半導体層2がエピタキシャル成長されている。半導体発光素子を構成する場合には、たとえばZnO系化合物半導体層からなるn形クラッド層とp形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。

請求項（抜粋）：

ZnO系化合物層を有する素子であって、サファイア基板のC面と直交する面を主面とするサファイア基板と、該サファイア基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたZnO系化合物層とを有するZnO系化合物層を有する素子。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01L 21/363 , H01L 21/365 , H01L 37/02 , H01L 41/24 , H01S 5/327

FI (6件)：

H01L 33/00 D , H01L 21/363 , H01L 21/365 , H01L 37/02 , H01S 5/327 , H01L 41/22 A

Fターム (48件)：

5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA02 , 5F041CA04 , 5F041CA06 , 5F041CA23 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F041FF01 , 5F045AA05 , 5F045AB21 , 5F045AB22 , 5F045AC07 , 5F045AC09 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F073AA21 , 5F073AA74 , 5F073CA22 , 5F073CB05 , 5F073CB16 , 5F073DA06 , 5F073DA11 , 5F073DA22 , 5F073DA30 , 5F073EA05 , 5F103AA04 , 5F103AA05 , 5F103BB09 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH08 , 5F103KK10 , 5F103LL01 , 5F103PP02 , 5F103PP03

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-045311 出願人：株式会社村田製作所
3-5族化合物半導体と発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070621 出願人：住友化学工業株式会社
II族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-072003 出願人：科学技術振興事業団

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