特許

J-GLOBAL ID：200903055438797224

深開口部を形成するためにプラズマ処理室内でシリコン層をエッチングする方法

発明者： マクレイノルズ・ダーレル
出願人/特許権者： ラム・リサーチ・コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-612994
公開番号（公開出願番号）：特表2002-542623
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2002年12月10日
要約：

【要約】超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタにおいてシリコン層をエッチングする方法を開示する。この方法は、シリコン層を含む半導体基板をプラズマエッチングリアクタに供給し、酸素反応ガス、ヘリウムガス、及び不活性衝撃強化ガスを含むエッチングガスをプラズマエッチングリアクタに流入させるステップを含む。この方法は更に、エッチングガス化学剤を使用してプラズマを発生させ、次に、プラズマを発生させた後のプラズマエッチングリアクタに、SF6を含む添加ガスを供給することを含む。この方法では、引き続き、このプラズマを使用して、少なくとも部分的にシリコン層を通じて、開口部をエッチングする。

請求項（抜粋）：

少なくとも10μmのエッチング深度を有する超深トレンチを形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、 前記シリコン層を含む半導体基板を前記誘導結合プラズマエッチングリアクタ内に導入するステップと、 実質的にヘリウムガス、O2ガス、及びアルゴンガスで構成されるエッチングガス化学剤を前記誘導結合プラズマエッチングリアクタに流入させるステップと、 前記エッチングガス化学剤を使用してプラズマを発生させるステップと、 前記プラズマの発生の後に、前記誘導結合プラズマエッチングリアクタにSF6ガスを供給するステップであって、前記SF6ガスに対する前記ヘリウムガスの流量比が約350%ないし約550%であり、前記SF6ガスに対するO2の流量比が約60%ないし約90%であり、前記SF6ガスに対する前記アルゴンガスの流量比が約350%ないし約550%であるステップと、 少なくとも部分的に前記シリコン層に前記超深トレンチをエッチングするステップと、を備える方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 F

Fターム (21件)：

5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-291712   出願人：アネルバ株式会社
• 特表平2-503614