特許
J-GLOBAL ID：200903096271086949

プラズマ処理装置

発明者：
スニル ウィクラマナヤカ

スニル ウィクラマナヤカ について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-291712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189293
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【解決手段】 プラズマ処理装置のための反応容器1 は、基板処理基板17を処理するプラズマを作るようにプラズマ放電を発生させるソースチャンバ11と、基板ホルダ16上に基板17が配置されるプロセスチャンバ12を備える。高周波電流が流れる平行な複数の導電性ロッド23は、ソースチャンバにおける対向する壁の間、または上部の誘電体スラブ62の中に、配置される。前者の場合、各導電性ロッドは誘電体材料で作られた円筒型チューブ21で被覆され、当該円筒型チューブの両端は対向する壁に気密に固定される。
請求項（抜粋）：
基板を処理するプラズマを作るようにプラズマ放電を発生させる上部分と基板ホルダ上に基板が配置される下部分とを含む反応容器と、前記基板ホルダの上方に配置されかつ高周波電流が流れる平行な複数の導電性ロッドとから構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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