特許

J-GLOBAL ID：200903055450846117

金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペーストならびに積層セラミック電子部品

発明者： 細倉 匡 ,  本郷 央充 ,  前田 昌禎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275511
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、焼結開始温度を高温側にシフトさせるとともに、急峻な焼結収縮を抑制させた金属粉末の製造方法、このような金属粉末、このような金属粉末を含有する導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペーストを用いて内部電極を形成し、層間剥離(デラミネーション)ならびにクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することにある。【解決手段】 本発明の金属粉末の製造方法は、少なくとも第1金属の粉末と、第2金属を含む第2金属塩と、タングステン酸塩または/およびモリブデン酸塩と、を溶媒中に分散させた金属塩溶液と、還元剤を含有する還元剤溶液と、を準備し、これを混合し、第1金属の粉末表面上に、第2金属塩に含まれる第2金属と、タングステン酸塩または/およびモリブデン酸塩に含まれるタングステンまたは/およびモリブデンを析出させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1金属の粉末と、第2金属を含む第2金属塩と、タングステン酸塩または/およびモリブデン酸塩と、を溶媒中に分散させた金属塩溶液と、還元剤を含有する還元剤溶液と、を準備し、これを混合し、前記第1金属の粉末表面上に、前記第2金属塩に含まれる第2金属と、前記タングステン酸塩または/および前記モリブデン酸塩に含まれるタングステンまたは/およびモリブデンを析出させることを特徴とする、金属粉末の製造方法。

IPC (7件)：

B22F 9/24 ,  B22F 1/00 ,  B22F 1/02 ,  H01B 1/00 ,  H01B 1/22 ,  H01G 4/008 ,  H01G 4/12 361

FI (7件)：

B22F 9/24 C ,  B22F 1/00 M ,  B22F 1/02 A ,  H01B 1/00 C ,  H01B 1/22 A ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 1/01

Fターム (28件)：

4K017AA06 ,  4K017BA04 ,  4K017BA07 ,  4K017DA01 ,  4K017EJ01 ,  4K017FB04 ,  4K018BA09 ,  4K018BD04 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AC10 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC36 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35 ,  5E082FG26 ,  5E082PP09 ,  5G301DA09 ,  5G301DA10 ,  5G301DA14 ,  5G301DA42 ,  5G301DA53 ,  5G301DD01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-000718
  
• コンデンサの電極組成物及びそれを用いた電極ペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215863   出願人：株式会社東芝, 日本ケミコン株式会社
• 粉体材料とその製造方法およびこの粉体材料を用いた厚膜導電性ペーストとこのペーストを用いた積層セラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-253220   出願人：住友金属鉱山株式会社