特許
J-GLOBAL ID:200903055483590576
配線基板、半導体装置及び電気光学装置並びにこれらの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-277223
公開番号(公開出願番号):特開2001-102445
出願日: 1999年09月29日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 アルミニウムを含む層を下層、高融点金属からなる層を上層とする積層構造を有する配線を用いた配線基板において、配線間の短絡欠陥のない高品質の配線基板を得る。【解決手段】 基板500上に、アルミニウムを含む層を下層510とし、高融点金属からなる層を上層511とする積層構造を有する配線512が配置される。配線が、上層511が下層510よりも基板表面と平行な方向に100nm以上張り出ている構造を有することにより、下層510に横方向のヒロック513が生じても配線間の短絡を防止することができ、短絡不良のない配線基板514を得ることができる。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に配置され、アルミニウムを含む層を下層、高融点金属を含む層を上層とする積層構造を有する配線とを具備し、前記上層が前記下層よりも前記基板表面と平行な方向に100nm以上張り出ていることを特徴とする配線基板。
IPC (8件):
H01L 21/768
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1365
, G09F 9/00 342
, G09F 9/30
, G09F 9/30 348
, H05K 1/02
, H05K 1/09
FI (8件):
G02F 1/1333 505
, G09F 9/00 342 C
, G09F 9/30 C
, G09F 9/30 348 A
, H05K 1/02 J
, H05K 1/09 C
, H01L 21/90 B
, G02F 1/136 500
Fターム (91件):
2H090HA04
, 2H090HB03X
, 2H090HB12X
, 2H090HB13X
, 2H090HC03
, 2H090HC12
, 2H090HD03
, 2H090HD05
, 2H090LA04
, 2H092GA59
, 2H092JA25
, 2H092JB24
, 2H092JB27
, 2H092JB33
, 2H092JB36
, 2H092JB56
, 2H092KA04
, 2H092KA10
, 2H092KB04
, 2H092KB22
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA18
, 2H092MA27
, 2H092MA30
, 2H092MA41
, 2H092NA16
, 2H092NA29
, 4E351BB01
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB27
, 4E351CC03
, 4E351DD10
, 4E351DD11
, 4E351DD17
, 4E351DD31
, 4E351GG06
, 5C094AA04
, 5C094AA05
, 5C094AA14
, 5C094AA24
, 5C094AA31
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094AA60
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5C094JA08
, 5E338AA00
, 5E338BB63
, 5E338CC01
, 5E338CD03
, 5E338EE11
, 5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033MM05
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ13
, 5F033QQ19
, 5F033QQ21
, 5F033QQ33
, 5F033QQ35
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033WW01
, 5F033XX31
, 5G435AA16
, 5G435AA17
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435HH12
, 5G435HH14
, 5G435KK05
引用特許:
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