特許
J-GLOBAL ID：200903055489632300
磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123797
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313138
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子として、並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システムとして、出力値、出力波形、及びピットエラーレートにおいて良好な特性を得るとともに、熱的な信頼性においても良好な特性を得る。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、基体100上に、下地層101、NiFe層102、非磁性層104、固定磁性層106、反強磁性層107及び保護層108が順次形成されたものである。そして、保護層108は、2nm以上かつ7nm以下の膜厚の金属からなる。保護層の金属は、例えば、Ti,V,Cr,Co,Cu,Zn,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt又はAuである。
請求項（抜粋）：
磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層され、更にこれらの上に保護層を有する磁気抵抗効果素子において、前記保護層は、2nm以上かつ7nm以下の膜厚の金属からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
