特許

J-GLOBAL ID：200903055537510948

半導体光変調器

発明者： 河野 健治 ,  浅井 明彦 ,  本藤 武 ,  川面 英司 ,  平岡 淳 ,  松本 聡
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111851
公開番号（公開出願番号）：特開2005-300570
出願日： 2004年04月06日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 一般的な結晶成長技術で形成できる層構成で、確実なプッシュプル動作を実現することができる半導体光変調器を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、光を伝搬するための半導体コア層を含む光導波路と、前記半導体コア層に電気信号を印加するための電極とを備えた半導体光変調器において、前記半導体コア層が真性半導体もしくは少なくとも一部がn型である半導体層から成り、前記半導体コア層の下方に第1のp型半導体層を具備し、前記半導体コア層の上方に第2のp型半導体層を具備し、光導波路のドーピング構造がp-i-p構造となっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、光を伝搬するための半導体コア層を含む光導波路と、前記半導体コア層に電気信号を印加するための電極とを備えた半導体光変調器において、 前記半導体コア層の下方に第1のp型半導体層を、前記半導体コア層の上方に第2のp型半導体層を具備することを特徴とする半導体光変調器。

IPC (1件)：

G02F1/017

FI (1件)：

G02F1/017 503

Fターム (12件)：

2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体光変調器、マッハツェンダ型光変調器、及び光変調器一体型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-376557   出願人：富士通株式会社
• 予め決められた周波数チャープを有する光変調器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-574533   出願人：ブッカム・テクノロジー・ピーエルシー