特許
J-GLOBAL ID：200903047524344590

半導体光変調器、マッハツェンダ型光変調器、及び光変調器一体型半導体レーザ

発明者：
関口 茂昭

関口 茂昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376557
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177368
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 光導波路コア層に効率的に電界を印加し、尚且つ変調波の伝搬特性を劣化させない半導体光変調器、マッハツェンダ型光変調器、及び光変調器一体型半導体レーザを提供する。【解決手段】 半絶縁性の半導体基板101上にn型クラッド層102を積層し、この上に光導波路層103を形成する。光導波路層103は、クラッド層103b及び103cと、クラッド層103b及び103cで挟まれた光導波路コア層103aとより成る。また、光導波路層103上にはn型クラッド層104を形成する。このように、光導波路層103の上下に形成するクラッド層として、導電率が比較的高く、光吸収が比較的小さく、不純物が比較的拡散しにくいn型の半導体を用い、更にn型クラッド層102及び104間に半絶縁性の層を設ける。
請求項（抜粋）：
光導波路層と、該光導波路層に電界を印加する一対の電極とを有し、印加された前記電界に基づいて前記光導波路層中を伝搬する光を変調する半導体光変調器であって、前記光導波路層が、前記一対の電極の間において、同一である所定の導電性の第1及び第2のクラッド層間に形成されていることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ,  H01S 5/026 616
FI (2件)：
G02F 1/025 ,  H01S 5/026 616
Fターム (15件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EB04 ,  2H079HA12 ,  2H079KA06 ,  2H079KA18 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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