特許

J-GLOBAL ID：200903055539935547

気密構造体を有するデバイス及びその製造方法

発明者： 野辺 武 ,  砂田 卓也 ,  西川 英男
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 板谷 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-347088
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156815
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】気密構造体を有するデバイス及びその製造方法において、電圧極性を考慮する必要のない電気配線と気密漏れを発生させることのない気密構造体を実現する。【解決手段】デバイス1は、シリコン基板2とガラス構造体3とを用いて気密空間5を形成した気密構造体内に電子素子4を実装してなり、シリコン基板2は、その表面に形成された第1の絶縁膜21と、第1の絶縁膜21の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜22と、導電膜22の上部に形成された第2の絶縁膜23と、第2の絶縁膜23の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜24と、を備えており、ガラス構造体3は、気密構造を取るようにシリコン基板2上方の平坦研磨されたポリシリコン膜24に接合され、導電膜22は、ガラス構造体3とポリシリコン膜24の接合部30の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板とガラス構造体とを用いて形成した気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスであって、 前記シリコン基板は、当該シリコン基板の表面に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜と、 前記導電膜の上部に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜と、を備え、 前記ガラス構造体は、気密構造を取るように前記シリコン基板上方の平坦研磨されたポリシリコン膜に接合され、 前記導電膜は、前記ガラス構造体とポリシリコン膜の接合部の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続していることを特徴とする気密構造体を有するデバイス。

IPC (3件)：

H01L 23/02 ,  B81B 3/00 ,  B81C 3/00

FI (4件)：

H01L23/02 B ,  H01L23/02 J ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 封止構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-215551   出願人：日産自動車株式会社