特許
J-GLOBAL ID：200903055555642720
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232528
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 高融点金属の蓄積電極の側壁にサイドウォールを容易に形成でき、金属膜の剥れ等の問題が発生しない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜13上にバリア金属としての窒化チタン膜16、電極本体としてのタングステン膜17、エッチバックストッパーとしての窒化チタン膜22を形成する。そして、バリア金属窒化チタン膜16を残し、ストッパー窒化チタン膜22、電極本体タングステン膜17をエッチングしてパターニングした後、全面にタングステン膜18を形成する。ついで、全面をエッチバックして側壁タングステン膜18を残し、サイドウォールとした後、電極以外の部分のバリア金属窒化チタン膜16とストッパー窒化チタン膜22を同時にエッチング除去する。
請求項（抜粋）：
2種類以上の材料からなる多層の導電膜で構成され、その最上層が金属である容量蓄積電極を有する半導体装置において、前記最上層の金属の側壁にサイドウォールが形成され、前記最上層の金属より下方に位置する導電膜のうち少なくとも1層の導電膜が、前記サイドウォールの下部にまで延在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 B
, H01L 21/88 S
, H01L 27/04 C
